หน่วยที่ 2
วงจรไบอัสทรานซิสเตอร์
สาระการเรียนรู้
2.1 วงจรไบอสั คอมมอนอิมิตเตอร์
2.1.1 แบบไบอัสคงที่
2.1.2 แบบไบอัสตนเอง
2.2 วงจรไบอสั คอมมอนคอลเลกเตอร์
2.3 วงจรไบอสั คอมมอนเบส
จุดประสงค์ทั่วไป
1. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันของวงจรไบอัสคอมมอนอิมิตเตอร์
2. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันของวงจรไบอัสคอมมอนคอลเลกเตอร์
3. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันของวงจรไบอัสคอมมอนเบส
4. วัดและทดสอบหากระแสและแรงดันทจี่ดทํางานของวงจรไบอัสทรานซิสเตอร์
จุดประสงค์เชิงพฤติกรรม
1. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันวงจรไบอสัสคงที่ ของคอมมอนอิมิตเตอร์ได้
2. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันวงจรอิมิตเตอร์ ไบอัสของคอมมอนอิมิตเตอร์ได้
3. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันวงจรแบบโวลท์เตจดิไวเดอร์ของคอมมอนอิมิตเตอร์ได้
4. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันของวงจรคอมมอนคอลเลกเตอร์ได้
5. คํานวณหาคำกระแสและแรงดันของวงจรคอมมอนเบสได้
6. มีทักษะการวัดหากระแสและแรงดนในวงจรทรานซิสเตอร์ได้
7. มีกิจนิสัยในการทํางานด้วยความประณีตรอบคอบและตรงต่อเวลา
8. มีความซื่อสัตย์ มีความใผ่รู้ และมีความอดทน
9. มีความขยัน รับผิดชอบงานที่มอบหมาย และทํางานร่วมกับผู้อื่นได้
การจัดไบอัสวงจรทรานซิสเตอร์ (Transistor Biasing Circuit)
ในการใช้งานวงจรทรานซิสเตอร์แต่ละวงจร ต้องการกระแสไม่เท่ากัน หรือจุดทํางาน แตกต่างกันไป ถ้าให้กระแสไหลในวงจรมากเกินไป
จะทําให้ทรานซิสเตอร์เข้าสู่ภาวะอิ่มตัวได้ และ ถ้าเราลดกระแสมากเกินไปก็อาจทําให้ทรานซิสเตอร์ตัวนั้นๆ ถึงจุดคัทออฟได้
ตามกฎของโอห์ม การปรับกระแสสามารถปรับได้จากแหล่งจ่ายไฟเลี้ยงวงจรและอีกวิธีคือการปรับด้วยค่าความ ต้านทาน
ดังนั้นในทางปฎิบัติจึงต้องเลือกวิธีการปรับกระแสด้วยค่าความต้านทาน โดยการต่อตัวต้านทานอนุกรมกับแหล่งจ่ายไฟ
ดังภาพที่ 2.1
จากภาพที่ 2.1 (ก) เป็นการต่อวงจรของทรานซิสเตอร์ชนิด NPN จะเห็นว่าที่ขาเบสกับขา คอลเลกเตอร์ มีทิศทางกระแสไหลเข้า
เพราะฉะนั้นจะถูกต่อด้วยขั้วแรงดันไฟฟ้าบวก ส่วนภาพที่- 2.1 (ข) เป็นการต่อตัวต้านทานอนุกรมกับแหล่งจ่ายไฟ
เพื่อเป็นตัวปรับกระแสและแรงดันที่ ทรานซิสเตอร์ ส่วนภาพที่ 2.1 (ค) เป็นการต่อวงจรของทรานซิสเตอร์ชนิด PNP
จะเห็นว่าที่ขาเบสกับขาคอลเลกเตอร์ มีทิศทางกระแสไหลออกเพราะฉะนั้นจะถูกต่อด้วยขั้วแรงดันไฟฟ้าลบ
ส่วนภาพที่- 2.1 (ง) เป็นการต่อตัวต้านทานอนุกรมกับแหล่งจ่ายไฟ เพื่อเป็นตัวปรับกระแสและแรงดันที่
ทรานซิสเตอร์ ในทางปฏิบัติการต่อแหล่งจ่ายไฟฟ้ากระแสตรง 2 ชุดเพื่อให้ทรานซิสเตอร์ทํางานนั้นจะ ไม่สะดวก
และจากการสังเกตุจากวงจรขั้วแรงดันที่ต่อจุดคอมมอนมีขั้วไฟฟ้าเหมือนกันจึงสามารถ ใช้แหล่งจ่ายไฟฟ้ากระแสตรง
เพียงชุดเดียวได้ตามภาพที่ 2.2
1. คอมมอนอิมิตเตอร์ (Common Emitter) จัดวงจรได้ 2 แบบ
1.1 วงจรไบอสั คงที่ ( Fixed bias)
1.1 วงจรไบอสั ด้วยตนเอง (Self bias)
2. คอมมอนคอลเลกเตอร์ (Common collector)
3. คอมมอนเบส (Common Base)
2.1 วงจรไบอัสคอมมอนอิมิตเตอร์ (Common Emitter bias circuit)
2.1.1 วงจรไบอัสคงที่ ( Fixed bias)
เป็นวิธีการไบอัสที่ง่ายที่สุด ใช้แหล่งจ่ายไฟกระแสตรง (VCC ) เป็นตัวจ่ายกระแสเข้าที่ขาเบส (IB)
และที่ขาคอลเลกเตอร์ (IC) ตัวอย่างเช่นทรานซิสเตอร์ชนิด NPN ขาเบสต้องการไฟบวก เมื่อเทียบกับขาอิมิตเตอร์
และขาคอลเลกเตอร์ก็ต้องการบวกเมื่อเทียบกับขาอิมิตเตอร์เช่นกันในส่วนของกระแสที่จะทําให้ทรานซิสเตอร์ทํางาน
ตามที่ต้องการจะต้องใช้ตัวต้านทานเป็นตัวกําหนด กระแสที่ขาเบส และขาคอลเลกเตอร์ ดังภาพที่ 2.3
ภาพที่ 2.3 วงจรไบอัสแบบไบอัสคงที่
ในการวิเคราะห์หาจุดทํางานของวงจรจะต้องใช้หลักการทางวงจรไฟฟ้าโดยทําการเปลี่ยน จากวงจรอิเลคทรอนิกส์ให้เป็น
วงจรทางไฟฟ้า โดยแยกวงจรออกเป็นวงจรทางอินพุตและวงจรทางเอาท์พุต
การวิเคราะห์หาจุดทํางานของวงจรแบบไบอัสคงที่
ภาพที่ 2.4 การวิเคราะห์หาจดุ ทํางานวงจรแบบไบอัสคงที่ เพื่อให้ง่ายต่อการการวิเคราะห์การทํางานของวงจร
จะต็องเปลี่ยนให็เป็นวงจรไฟฟ้าก่อน โดยการกําหนดทิศทางการไหลของกระแสจากแหล่งจ่ายไฟเลี้ยงวงจรผ่านทาง
ความต้านทานทางขา เบส (RB) และทางความต้านทานทางขาคอลเลกเตอร์ (RC) หลังจากนั้นก็นํามาเขียนให้เป็น
วงจรไฟฟ้า ในส่วนของแรงดันที่ตกคล่อมตัวทรานซิสเตอร์ให้เขียนแทนด้วยสัญลักษณ์แหล่งจ่าย แรงดันสมมติ
แล้วใช้ทฤษฎีวงจรไฟฟ้าวิเคราะห์หาความสัมพันธ์ระหว่างกระแสและแรงดนั
ภาพที่ 2.5 การกําหนดทิศทางกระแสที่ไหลในวงจร
พิจารณาทางอินพุต
ภาพที่ 2.6 การเขียนวงจรไฟฟ้าทางอินพตุ เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์
เพื่อหาสมการกระแสเบส ( IB )
VCC = IB*RB + VBE
IB = (Vcc-Vbe)/Rb
ภาพที่ 2.7 การเขียนวงจรไฟฟ้าทางเอาท์พุต
เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอร์ชอฟฟ์ เพื่อหาสมการกระแสเบส ( IC ) และ
สมการแรงดันที่ คอลเลกเตอร์ กับอิมิตเตอร์
VCC = IC*RC + VCE
VCE = VCC - IC*RC
IC = B IB หรือ
IC = hFE*IB
ตัวอย่างที่ 2.1 จากวงจรคํานวณหาคำกระแส IC กระแส IB และแรงดัน VCE
= 4V - 0.7V
4.7 KΩ
IB = 702.127 A ตอบ
IC = VCC VCE
RC
= 24V 8V
3kΩ
IC = 5.33 mA ตอบ
VCE = VCC - ICRC
= 24 V – 5.33 mA 3k
VCE = 8.01 V ตอบ
ตัวอยางที่ 2.2 จงคํานวณหาคา RC และ RB ของวงจรไบอสั คงที่ โดยใชซิลิกอนทรานซิสเตอร์มีคำ hFE = 50 VCC = 15 V และจดุ ทํางานดีซีที่ VCE = 8V, IC = 2mA วิธีทํา
จาก VCC = ICRC + VCE
RC = VCCI VCE
C
= 15 V8V
2mA
RC = 3.5 k ตอบ
IB = IC
hFE
= 2mA
50
IB = 40 A
VCC = IBRB + VBE
RB = VCCIBVBE
= 15 V 0.7V
40μA
RB = 357.5 k ตอบ
RB
Vi
กําหนดใหแ รงดัน VCE มีคำเทากับ 8V
วิธีทํา
IB = VBB VBE
RB
= 4V 0.7V
4.7 KΩ
IB = 702.127 A ตอบ
IC = VCC VCE
RC
= 24V 8V
470Ω
IC = 34.04 mA ตอบ
= IC
IB
= 34.04 mA
702.127 μA
= 48.48 ตอบ
2.1.2 วงจรไบอัสด้วยตนเอง (Self bias)
2.1.2.1 แบบวงจรอิมิตเตอร์ ไบอัส (Emitter bias)
ภาพที่ 2.8 วงจรไบอัสแบบอิมิตเตอร์ ไบอัส
โดยทั่วไปเมื่อทรานซิสเตอร์ทํางานก็จะเกิดความรอนขึ้นเปนผลใหความตานทาน ระหวาง คอลเลกเตอร์ กับ อิมิตเตอร์ มีคำลดลง จะทําใหใหกระแสคอลเลกเตอร์มคีาสูงขึ้นในขณะที่ กระแสเบสยังมีคำคงที่อยู นั้นก็หมายความวากระแสเบสไมสามารถควบคุมกระแสคอลเลกเตอร์ได้ จะทําใหจุดทํางานของทรานซิสเตอร์ มีการเปลี่ยนแปลง เมื่อมีความตานทานที่ขาอิมิตเตอร์ (RE ) กระแสคอลเลกเตอร์มีคำเพิ่มขึ้น จะทําใหแรงดัน ที่ตกคลอมตัวตานทานที่ขาอิมิตเตอร์ (VE ) และแรงดันที่ขาเบส (VB) มีคำเพิ่มขึ้นตามไปด้วยจะ
สงผลใหแรงดันที่ตกคลอมระหวา งเบส กับ อิมิตเตอร์ มีคำลดลง ตามสมการขางลาง
VB = VBE + VE VBE = VB - VE
เมื่อแรงดันตกคลอมระหวางเบสกับอิมิตเตอร์ มีคำลดลง ทรานซิสเตอร์ก็จะนํากระแส ได้นอยลงทําใหกระแสคอลเลกเตอร์ลดลงตามด้วย ทรานซิสเตอร์ ก็จะกลับมาทํางานที่กระแสและ แรงดันเหมือนในตอนแรก อุณหภูมิก็จะลดลง
การวิเคราะหหาจุดทํางานของวงจรอิมิตเตอร์ ไบอัส
ภาพที่ 2.9 การวิเคราะหหาจดุ ทํางานของวงจรอิมิตเตอร์ ไบอัส
หลักการวิเคราะหจะตองเปลี่ยนใหเปนวงจรไฟฟากอนโดยการกําหนดทิศทางการไหล ของกระแสจากแหลงจายไฟเลี้ยงวงจรผานทางความตานทานทางขาเบส (RB) และทางความ ตานทานทางขาคอลเลกเตอร์ (RC) หลังจากนั้นก็นํามาเขียนใหเปนวงจรไฟฟาโดยสมมติใหแรงดัน ที่ตกคลอมทรานซิสเตอร์เขียนแทนด้วยสัญลักษณแหลงจายแรงดันสมมติ แลวใช้ทฤษฎีวงจรไฟฟา วิเคราะหหาความสมั พันธระหวางกระแสและแรงดัน ของวงจร
ภาพที่ 2.10 การกําหนดทิศทางกระแสที่ไหลในวงจร
พิจารณาทางอนิ พุต
เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอรชอฟฟ เพื่อหาสมการกระแสเบส ( IB )
VCC = IBRB + VBE + IERE
IE = IC + IB
= IB + IB
IE = IB (1+)
VCC = IBRB + VBE + IB (1+)RE
IB = RB VCC(1VβBE)RE
พิจารณาทางเอาทพุต
เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอรชอฟฟ เพื่อหาสมการกระแส ( IC ) และสมการ แรงดันที่คอลเลกเตอร์ กับอิมิตเตอร์
ภาพที่ 2.12 การเขียนวงจรไฟฟาทางเอาทพุต
จาก IE IC VCC = ICRC + VCE + IERE
VCE = VCC - IC (RC + RE)
VC = VCC – ICRC
VE = IC RE
IC = IB
ตัวอยางที่ 2.4 จากวงจรคํานวณหาคำกระแส IC กระแส IB และแรงดัน VCE
วิธีทํา
IB = VCC VBE
RB (1β)RE
= 20V 0.7V
430kΩ (1100)1kΩ
IB = 36.35 A ตอบ
IC = IB
= 100 36.35 A
IC = 3.635 mA ตอบ
VCE = VCC - IC (RC + RE)
= 20V - 3.635 mA (2k + 1k )
VCE = 9.1V ตอบ
2.1.2.2 แบบแบงแรงดนั (Voltage divider bias)
ในการที่จะทําใหวงจรมีเสถียรภาพดีขึ้นสามารถทําได้โดยการทําใหแรงดัน ที่มาไบอัสขาเบสมีคำคงที่มากที่สุดวงจรไบอัสแบบนี้จึงมีความตานทานตรงขาเบส 2 ตัวด้วยกัน แมวาวงจรทรานซิสเตอร์จะทํางานหรือไมทํางาน แต่แรงดันที่ขาเบสยังมีคำคงที่ นี่เปนผลทําให วงจรมีเสถียรภาพของวงจรสูงกวาวงจรไบอัสแบบอื่นที่กลาวมาตั้งแต่ตน
หลักการรักษาเสถียรภาพของวงจรขยายทรานซิสเตอร์ใหคงที่นั้นจะทําใหกระแสคอล- เลกเตอร์ถูกควบคุมไมใหเปล่ียนแปลงหรือถาเปลี่ยนแปลงก็ใหนอยที่สุด เมื่อจุดทํางานเริ่มจะ เปลี่ยนไป พารามิเตอร์ที่จะสงผลใหการทํางานของทรานซิสเตอร์เปลี่ยนไปอันดับแรกก็คืออุณหภูมิ ซึ่งสามารถแกไขในขั้นตนคือใสความตานทานที่ขาอิมิตเตอร์ (RE) แต่อยางไรก็ตามกรณีที่ ทรานซิสเตอร์เกิดความรอนขึ้นอยางตอเนื่องจนความตานทาน RE ไมสามารถควบคุมได้ วงจรแบงแรงดัน จะสามารถควบคุมแรงดันทางเบสใหคงที่ได้ เพราะตัวตานทานที่ตอเปนวงจรแบงแรงดันไว ทางขาเบสนั่นเอง ซึ่งคำแรงดันที่วามานี้จะไมขึ้นตรงกับพารามิเตอร์ตัวใดๆ
ภาพที่ 2.13 วงจรไบอัสแบบแบงแรงดนั
พิจารณาทางอนิ พุต
VB = RB2 VCC
RB1 RB2
IE = VE
R
E
VB = VBE - VE
VE = VB - VBE
IE IC
ภาพที่ 2.14 การหาแรงดันที่ขาเบส พิจารณาทางเอาทพุต
ภาพที่ 2.15 การเขียนวงจรไฟฟาทางเอาทพุต เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอรชอฟฟ
VCC = ICRC + VCE + IERE
VCE = VCC - IC(RC + RE)
VC = VCC – ICRC
VE = IC RE
อยางไรก็ตามในบางครั้งเราจะชดเชยอุณหภูมิโดยตรงได้ด้วยการใช้อุปกรณอยางเทอรมิสเตอร์ ไปยึดติดไวกับตัวถังของทรานซิสเตอร์เมื่อทรานซิสเตอร์เกิดความรอนเทอรมิสเตอร์ จะ รอนตามไปด้วย เปนผลใหความตานทานของมันลดลงแรงดันไบอัสที่ขาเบส ก็จะลดลงตาม กระแสคอลเลกเตอร์ ก็ลดลงลดลงทรานซิสเตอร์จึงเย็นลงเขาสูสภาวะปกติตอไปเทอรมิสเตอร์จะใช้ ชนิด NTC
ตัวอยางที่ 2.5 การคํานวณหาคำกระแสและแรงดันทจี่ดทํางานของวงจรุ
VB = RRB2VRCC
B1 B2
= 3.9kΩ 22V
3.9 kΩ 39 kΩ
VB = 2 V ตอบ
VE = VB - VBE
= 2 V - 0.7V VE = 1.3 V
IE =
1.5kΩ
= 0.867mA ตอบ
VCE = VCC - IC (RC + RE)
= 22V - 0.867mA (10k + 1.5k)
VCE = 12.03 V ตอบ
1.3V
2.2 วงจรไบอัสคอมมอนคอลเลกเตอร์ (Common Collector bias circuit ) จากการจัดไบอัสของวงจรคอมมอนคอลเลกเตอร์ ขาอินพุตปอนเขาที่ขาเบสสวนเอาทพุต
ออกที่ขาอิมิตเตอร์ เมื่อพิจารณาจากการทํางานของวงจรแรงดันที่ขาเบสจะตางจากแรงดันท่ีขาอิมิตเตอร์ เล็กนอยประมาณ 0.7 V และเมื่อพิจารณาผลการทํางานทางดานสัญญาณของวงจร
สัญญาณที่เอาทพุตและอินพุตจะมีขนาดใกลเคียงกันและเฟสสัญญาณตรงกัน จึงเรียกวาวงจร อิมิตเตอร์ฟรอลโลเวอร ดังภาพที่ 2.16
ภาพที่ 2.16 วงจรไบอัสแบบคอมมอนคอลเลกเตอร์ การวิเคราะหหาจุดทํางานของวงจรคอมมอนคอลเลกเตอร์
ภาพที่ 2.17 การกําหนดทิศทางกระแสที่ไหลในวงจร
หลักการวิเคราะหจะตองเปลี่ยนใหเปนวงจรไฟฟากอนโดยการกําหนดทิศทางการไหลของ
กระแสจากแหลงจายไฟเลี้ยงวงจรผานทางความตานทานทางขาเบส (RB) และทางขาคอลเลกเตอร์ ลงสูกลาวด จากนั้นก็นํามาเขียนใหเปนวงจรไฟฟาโดยสมมติใหแรงดันท่ีตกคลอมทรานซิสเตอร์ เขียนแทนด้วยสัญลักษณแหลงจายแรงดันสมมติ แลวใช้ทฤษฎีวงจรไฟฟาวิเคราะหหา ความสัมพันธระหวางกระแสและแรงดัน ของวงจร
พิจารณาทางอินพุต
เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอรชอฟฟ เพื่อหาสมการกระแสเบส ( IB )
VCC = IBRB + VBE + IERE
IE = IB (1+)
VCC = IBRB + VBE + IB (1+) RE
VCC =
IB [ RB + (1+) RE ] + VBE
IB = VCC VBE
R (1β)R
B E
พิจารณาทางเอาทพุต
ภาพที่ 2.19 การเขียนวงจรไฟฟาทางเอาทพุต
เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอรชอฟฟ เพื่อหาสมการกระแส ( IC ) และสมการแรงดันที่ คอลเลกเตอร์ กับอิมิตเตอร์
VCC = VCE + IERE VCE = VCC - IC RE
IC = VCCR VCE
E
IC = IB
ตัวอยางที่ 2.6 จงคํานวณหาคำกระแส IB , IC และแรงดันที่ VCE
V
วิธีทํา
= 20V 0.7V
240kΩ 912kΩ
IB = 45.73 A ตอบ
IC = IB
= 90 45.73 A
IC = 4.12 mA ตอบ
VCE = VCC - ICRE
= 20V - 4.12 mA 2 k
VCE = 11.76 V ตอบ
2.3 วงจรไบอัสคอมมอนเบส (Common Base bias circuit)
การจัดวงจรไบอัสคอมมอนเบสนี้ขาอินพตุ จะเปนขาอิมิตเตอร์ สวนเอาทพุตจะเปนขาคอล-
เลกเตอร์ ซึ่งจะเปนผลใหคำอินพุตอิมพีแดนซของวงจรมคีาต่ําไมเหมาะที่จะนําไปใช้เปนวงจรขยาย และอีกประการหนึ่งคือจะตอ งใช้ไฟเลี้ยงวงจรทั้งทางอินพุตและเอาทพตุ ดังภาพที่ 2.20
ภาพที่ 2.20 การวิเคราะหห าจุดทํางานของวงจรคอมมอนเบส
หลักการวเิ คราะหการทํางานของวงจรก็จะคลายกบั คอมมอนอิมิตเตอร์และคอมมอน
คอลเลกเตอร์ ก็คือแยกเปนวงจรทางอินพุตและเอาทพุตออกจากกันแลว มาเขียนใหเปน วงจรทาง ไฟฟาเพื่อวิเคราะหการทํางานของวงจรตอไป
ภาพที่ 2.21 การวิเคราะหห าจุดทํางานทางอินพุต เขียนสมการโดยอาศัยกฎแรงดันของเคอรชอฟฟ เพื่อหาสมการกระแส ( IE )
-VEE = -IERE - VEB VEE = VEB + IERE
IE = VEER VBE
E
พิจารณาทางเอาทพุต
ภาพที่ 2.22 การวิเคราะหห าจุดทํางานทางเอาทพุต
VCC = ICRC + VCB VCB = VCC - ICRC IC IE
การจัดไบอัสของวงจรคอมมอนเบสจะแตกตางจากแบบอื่นตรงที่จะตองใช้แหลงจายไฟ กระแสตรง 2 ชุด จัดไบอัสทั้งทางอินพุตและเอาทพุต และอีกสวนที่แตกตางก็คือจุดตออินพุตตอ ที่ขาอิมิตเตอร์ ซึ่งมีคำความตานทานต่ําจึงเปนสาเหตุที่คอมมอนนี้ไมถูกนําไปใช้เปนวงจรขยาย เสียง(Amplifier)
ตัวอยางที่ 2.7 จงคํานวณหาคำกระแส IE และแรงดนั ท Vี่ CB
วิธีทํา
IE = VEE VBE
RE
= 4V 0.7V
1.2KΩ
IE = 2.75 mA ตอบ
VCB = VCC - ICRC
= 10 V - 2.75mA 2.4 k
VCB = 3.4 V ตอบ
แบบฝกหัดประจําหนวยที่ 2 วงจรไบอัสทรานซิสเตอร์
วิชา วงจรอิเลคทรอนิกส รหัส 2104 - 2206
คําสั่ง ใหแสดงวิธีการวิเคราะหหาจุดทํางานของวงจรตอ ไปน ี้
1. ใหคํานวณหาคำกระแส IB , IC และแรงดัน VCE ของวงจร
ภาพที่ 2.23 วงจรไบอัสคงที่
2. ใหคํานวณหาคำกระแส IB , IC และแรงดัน VCE ของวงจร
ภาพที่ 2.24 วงจรไบอัสคงที่
3. ใหคํานวณหาคำกระแส IB , IC และแรงดัน VCE ของวงจร
ภาพที่ 2.25 วงจรอิมิตเตอร์ไบอัส
4. ใหคํานวณหาคำกระแส IC และแรงดัน VCE ของวงจร
ภาพที่ 2.26 วงจรไบอัสแบบแบงแรงดนั
5. ใหคํานวณหาคำกระแส IB , IC , IE และแรงดัน VCE ของวงจร
ภาพที่ 2.27 วงจรคอมมอนคอลเลกเตอร์
6. ใหคํานวณหาคำกระแส IE , IC และแรงดัน VCB ของวงจร
ภาพที่ 2.28 วงจรคอมมอนเบส
ใบงานที่ 2.1 หนวยที่ 2
เรื่อง วงจรไบอัสทรานซิสเตอร์คอมมอนอิมิตเตอร์ เวลา 60 นาที
วัตถุประสงค
1. เพื่อใหเขาใจการทํางานของวงจรไบอัสแบบคงที่ ได้
2. เพื่อใหเขาใจการทํางานของวงจรไบอัสแบบด้วยตวั เองได
3. เพื่อใหเขาใจผลที่กระทบตอการทํางานของวงจร อันเนื่องมาจากการเปลี่ยนตัว ทรานซิสเตอร์
4. มีกิจนิสัยในการทํางานดว ยความประณตรอบคอบและตรงตอเวลาี
5. มีความซื่อสัตย มีความใผรู และมีความอดทน
6. มีความขยัน รบั ผิดชอบงานที่มอบหมาย และทํางานรวมกับผูอื่นได้
สาระสําคัญ
การจัดไบอัสของวงจรก็คือการกําหนดกระแสและแรงดนั ที่เกิดขนึ้ ที่ตวั ทรานซิสเตอร์ พารามิเตอร์ที่มีผลกระทบตอการทํางานกค็ือ อัตราขยายทางดานกระแสตรง ( หรือ HFE )ดังนั้น วงจรไบอัสทดี่มีเสถียรภาพจะตองไมขึ้นอยูกับคำี ( หรือ HFE )
เครื่องมือและอุปกรณที่ใชใ นการทดลอง
1. ออสซิลโลสโคป 2 เสนภาพ 1 เครื่อง
2. ชุดทดลอง BASE UNIT 1 เครื่อง
3. แผงโมดุลการทดลอง 1 แผน
4. สายตอวงจรไฟฟา 1 ชุด
5. มัลติมิเตอร์ 1 เครื่อง
ลําดับขั้นการทดลอง 1. วงจรไบอัสคงที่ (Fixed bias)
ภาพที่ 1 การวดั คำแรงดัน VCEQ
1.2 ใช้โวลทมิเตอร์วัดที่ ขา C กับขา E แลวปรับแหลงจายแรงดัน VBB จนได้แรงดัน VCEQ = 7.5v แลวบันทกึ ผลลงตารางท่ี.1
1.3 ตอแอมปมิเตอร์ตามภาพที่ 2 เพื่อวัดกระแสที่ขาเบส (IBQ) และวดั กระแสที่ขาคอลเลกเตอร์ ICQ ตามลําดับแลวบันทึกผลลงตารางที่.1
ภาพที่ 2 การวดั คำกระแสเบส และกระแส คอลเลกเตอร์
1.4 คํานวณหาอัตราขยายกระแสทางดีซี ( ) ที่ ICQ นี้บันทึกผลลงตารางที่.1
1.5 ทดลองหาเสถียรภาพอันเนื่องมาจาก การเปลี่ยนตัวทรานซิสเตอร์
1.5.1 ทําการเปลี่ยนตัวทรานซิสเตอร์ แลวใช้โวลทมิเตอร์วัดแรงดนั VCEQ ตาม ภาพที่ 1 บันทึกผลลงตารางที่.1
1.5.2 ใช้แอมปมิเตอร์วัดกระแสท่ีขาเบส (IBQ) และวัดกระแสที่ขาคอลเลกเตอร์
ICQ ตามภาพที่ 2 ตามลําดับแลวบันทึกผลลงตารางที่.1
1.5.3 ทําการคํานวณหาอัตราขยายกระแสทางดีซี ( ) ที่ ICQ นี้ บันทึกผลลง ตารางที่.1
ตารางที่.1
ICQ (mA) VCEQ(v) IBQ(A) VBEQ (v)
วงจรปกติ
เปลี่ยน BJT
1.6 จากภาพวงจรปกติคํานวณหาคำกระแสและแรงดันที่จุดทํางานปกติ IB , IC ,VCE และ เพื่อเปรียบเทยี บกับผลการทดลอง
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………… วงจรไบอัสตนเอง (Self bias)
2.2 ใช้โวลทมิเตอร์วัดที่ ขา C กับขา E ( VCEQ) แลวบนั ทกผลลงตารางที่ึ .2
2.3 ใช้แอมปมิเตอร์วัดกระแสท่ีขาเบส (IBQ) และวัดกระแสที่ขาคอลเลกเตอร์ IC ตามภาพ ที่ 4 ตามลําดับ แลวบนั ทกผลลงตารางที่ึ .2
ภาพที่ 4 การวดั คำกระแสเบส และกระแส คอลเลกเตอร์
2.4 คํานวณหาอัตราขยายกระแสทางดีซี ( ) ที่ ICQ นี้ บันทึกผลลงตารางที่.2
2.5 ทดลองหาเสถียรภาพอันเนื่องมาจาก การเปลี่ยนตัวทรานซิสเตอร์
2.5.1 ทําการเปลี่ยนตัวทรานซิสเตอร์ แลวใช้โวลทมิเตอร์วัดแรงดนั VCEQ ตามภาพที่ 3 แลวบันทึกผลลงตารางที่.2
2.5.2 ใช้แอมปมิเตอร์วัดกระแสที่ขาเบส (IBQ) และวดั กระแสที่ขาคอลเลก- เตอร์ ICQ ตามภาพที่ 4 แลวบันทึกผลลงตารางที่.2
2.5.3 คํานวณหาอัตราขยายกระแสทางดีซี ( ) บันทึกผลลงตารางที่ 2
ตารางที่ 2
ICQ (mA) VCEQ(v) IBQ(A) VBEQ (v)
วงจรปกติ
เปลี่ยน BJT
2.6 จากภาพวงจรปกติคํานวณหาคำกระแสและแรงดันที่จุดทํางานปกติ IB , IC ,VCE และ เพื่อเปรียบเทยี บกับผลการทดลอง
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
สรุปผลการทดลอง
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………… แบบประเมินผลการปฏบิัตกิ ารทดลอง
ชื่อ – สกุล ………………………………………………ชั้น/กลุม………………เลขที่………
ลําดับที่ เกณฑการประเมิน ระดับคะแนน
หมายเหตุ
3 2 1 0
1 ปฏิบัติวัดหากระแส IB , IC ได้ถูกตอง
2 ปฏิบัติวัดหาแรงดัน VBE , VCE ได้ถูกตอง
3 ปฏิบัติตามลําดับขั้นการทดลองได้ถูกตอง
4 ปฏิบัติการทดลองและบันทึกผลการ ทดลองได้ถูกตอง
5 ปฎิบัติการสรุปผลการทดลอง ได้ถูกตอง
6 สงงานตามกําหนดเวลา
7 ปฏิบัติการทําความสะอาด/เก็บวัสดุ/ อุปกรณ ได้ถูกตอง
8 การตรงตอเวลา
9 การแต่งกาย
10 กรทํางานรวมกับผูอื่น
รวมคะแนน
สรุปผลการประเมิน ผาน ไมผาน คะแนนที่ได้ ………………………… ขอเสนอแนะ ………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
ลงชื่อ ………………………….ผูประเมิน
(นายชาตรี เรงิ ชยภูมิั ) เกณฑการประเมินผลการปฏบิัติการทดลอง
ลําดับ ที่ ระดับคะแนน
3 2 1 0
1 วัดถูกตองทั้ง 2 ตาราง วัดถูกตองตารางเดียว ถูกตองบางคำ วัดไมถูก
2 วัดถูกตองทั้ง 2 ตาราง วัดถูกตองตารางเดียว ถูกตองบางคำ วัดไมถูก
3 ปฏิบัติถูกทุกขั้นตอน ปฏิบัติถูกบางขั้นตอน - -
4 บันทึกผลการทดลอง ถูกตองทกุ ข้ันตอน บันทึกผลการทดลอง ถูกตองบางขั้นตอน - บันทึกผลการ ทดลองไมถูกตอง
5 สรุปผลการ ถูกตองตาม วัตถุประสงค สรุปผล บางวัตถุประ สงค - ไมสรุปผลการ ทดลอง
6 สงงานตามกําหนดเวลา สงงานลาชา 1วัน สงงานลาชาเกิน 3 วัน ไมสงงาน
7 เก็บวัสดุ/อุปกรณ เรียบรอย เก็บวัสดุ/อุปกรณไม เรียบรอย มีการตักเตือน ไมเก็บวัสดุ/อุปกรณ
8 ตรงตอเวลา มาสาย - ขาดเรียน
9 ถูกระเบียบ ผิดระเบียบบาง - ผิดระเบียบมาก
10 ชวยเพื่อนทํา ชวยเพื่อนทําบาง - ไมชวยเพื่อนทํา
คะแนนรวม
เกณฑการประเมิน
26 – 30 คะแนน หมายถึง ดมี าก
21 – 25 คะแนน หมายถึง ดี
16 – 20 คะแนน หมายถึง พอใช้
0 – 15 คะแนน หมายถึง ปรับปรุง
ใบงานที่ 2.2 หนวยที่ 2
เรื่อง วงจรไบอัสทรานซิสเตอร์คอมมอนคอลเลกเตอร์ เวลา 60 นาที
วัตถุประสงค
1. เขาใจการทาํ งานของวงจรคอมมอนคอลเลกเตอร์ได้
2. วัดหาคำกระแสและแรงดนั ในวงจรได
3. มีกิจนิสัยในการทํางานดว ยความประณตรอบคอบและตรงตอเวลาี
4.มีความซื่อสัตย มีความใผรู และมีความอดทน
5. มีความขยัน รับผิดชอบงานที่มอบหมาย และทํางานรว มกบผูอื่นได้ั
สาระสําคัญ
วงจรไบอัสคอมมอนคอลเลกเตอร์ จะคลายๆ กับวงจรไบอัสของคอมมอนอิมิตเตอร์เพราะ ใช้กระแส IB ควบคุมการทํางานของทรานซิสเตอร์ สวนทางดานเอาทพตุ จะใชกระแส IE และความ ตานทาน RE เปนตัวกาํ หนดแรงดันทางดานเอาทพุต
VCE = VCC - IC RE
IE IC = IB
VO = IC RE
เครื่องมือและอุปกรณที่ใชใ นการทดลอง
1. ออสซิลโลสโคป 2 เสนภาพ 1 เครื่อง
2. ชุดทดลอง BASE UNIT 1 เครื่อง
3. แผงโมดุลการทดลอง 1 แผน
4. สายตอวงจรไฟฟา 1 ชุด
5. มัลติมิเตอร์ 1 เครื่อง
ภาพที่ 1 การวดั คำแรงดัน VCEQ และแรงดนั VO
2. ใช้โวลทมิเตอร์วัดที่ ขา C กับขา E ( VCEQ) แลวบันทึกผล
VCEQ = …………………..V
3. ใช้โวลทมิเตอร์วัดที่ Vo ตามภาพที่ 1 แลวบันทึกผล
VO = …………………..V
4. ใช้แอมปมิเตอร์วัดกระแสที่ขาเบส (IBQ) และวดั กระแสที่ขาคอลเลกเตอร์ IEQ ตามภาพที่ 2 ตามลําดับ แลวบันทกึ ผล
IBQ = …………………..A IEQ = …………………..A
5. จากภาพวงจรปกติคํานวณหาคำกระแสและแรงดันที่จุดทํางานปกติ IB , IE ,VCE และ แรงดัน VO เพื่อเปรียบเทียบกบั ผลการทดลอง
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………… สรุปผลการทดลอง
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
……………………………………………………………………………………………………… แบบประเมินผลการปฏบิัตกิ ารทดลอง
ชื่อ – สกุล ………………………………………………ชั้น/กลุม………………เลขที่………
ลําดับที่ เกณฑการประเมิน ระดับคะแนน
หมายเหตุ
3 2 1 0
1 ปฏิบัติวัดหากระแส IB , IE ได้ถูกตอง
2 ปฏิบัติวัดหาแรงดัน VBE , VCE ได้ถูกตอง
3 ปฏิบัติตามลําดับขั้นการทดลองได้ถูกตอง
4 ปฏิบัติการทดลองและบันทึกผลการ ทดลองได้ถูกตอง
5 ปฎิบัติการสรุปผลการทดลอง ได้ถูกตอง
6 สงงานตามกําหนดเวลา
7 ปฏิบัติการทําความสะอาด/เก็บวัสดุ/ อุปกรณ ได้ถูกตอง
8 การตรงตอเวลา
9 การแต่งกาย
10 กรทํางานรวมกับผูอื่น
รวมคะแนน
สรุปผลการประเมิน ผาน ไมผาน คะแนนที่ได้ ………………………… ขอเสนอแนะ ………………………………………………………………………………………
………………………………………………………………………………………………………
ลงชื่อ ………………………….ผูประเมิน
(นายชาตรี เรงิ ชยภูมิั ) เกณฑการประเมินผลการปฏบิัติการทดลอง
ลําดับ ที่ ระดับคะแนน
3 2 1 0
1 วัดกระแสถูกตองทั้ง 2 คำ วัดถูกตองคำเดียว - วัดไมถูก
2 วัดแรงดันถูกตองทั้ง 2 คำ วัดถูกตองคำเดียว - วัดไมถูก
3 ปฏิบัติถูกทุกขั้นตอน ปฏิบัติถูกบางขั้นตอน - -
4 บันทึกผลการทดลอง ถูกตองทกุ ข้ันตอน บันทึกผลการทดลอง ถูกตองบางขั้นตอน - บันทึกผลการ ทดลองไมถูกตอง
5 สรุปผลการ ถูกตองตาม วัตถุประสงค สรุปผล บางวัตถุประ สงค - ไมสรุปผลการ ทดลอง
6 สงงานตามกําหนดเวลา สงงานลาชา 1วัน สงงานลาชาเกิน 3 วัน ไมสงงาน
7 เก็บวัสดุ/อุปกรณ เรียบรอย เก็บวัสดุ/อุปกรณไม เรียบรอย มีการตักเตือน ไมเก็บวัสดุ/อุปกรณ
8 ตรงตอเวลา มาสาย - ขาดเรียน
9 ถูกระเบียบ ผิดระเบียบบาง - ผิดระเบียบมาก
10 ชวยเพื่อนทํา ชวยเพื่อนทําบาง - ไมชวยเพื่อนทํา
คะแนนรวม
เกณฑการประเมิน
26 – 30 คะแนน หมายถึง ดมี าก
21 – 25 คะแนน หมายถึง ดี
16 – 20 คะแนน หมายถึง พอใช้
0 – 15 คะแนน หมายถึง ปรับปรุง
แบบทดสอบกอ นเรียนหนวยที่ 2 คําสั่ง จงทาํ เคร่ืองหมายกากบาท () ลงบนขอคําตอบที่ถูกที่สุด
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 1 ถึงขอ 3
1. จากภาพเปน การจัดวงจรไบอัสแบบใด
ก. คอมมอนอิมิตเตอร์ ข. คอมมอนเบส
ค. คอมมอนคอลเลกเตอร์
2. ขอใดคือสมการกระแส IB ที่ถูกตอง
ง. คอมมอนเกท
ก. IB = VCC VCE
RB
ข. IB = VCC
RB
ค. IB = VCC VBE
RB
3. ขอใดคือสมการแรงดนั VCE ที่ถูกตอง . IB = i BE
V V
RB
ก. VCE = VCC ข. VCE = VCC + VRC
ค. VCE = VCC - VRC ง. VCE = VCC + VBE
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 4 ถึงขอ 7
4. จากภาพเปนการจัดวงจรไบอัสแบบใด
ก. คอมมอนอิมิตเตอร์ ข. คอมมอนคอลเลกเตอร์
ค.คอมมอนเบส
5. ขอใดคือสมการกระแส IB ที่ถูกตอง ง. คอมมอนเกท
ก. IB = VCC VBE
RB
V V
ข. IB = CC BE
RB RE
ค. IB = VCC VCE RB (1β)RE
6. ขอใดคือสมการแรงดันที่ VCE ที่ถูกตอง ง. IB = CC BE
V V
R B (1β)R E
ก. VCE = VCC ข. VCE = VCC + VRE
ค. VCE = VCC - VRE
7. ขอใดคือสมการของแรงดัน Vo ที่ถูกตอง ง. VCE = VCC + VBE
ก. VO = VCC - VCE ข. VO = VCC - IE RE
ค. VO = IE RE ง. ถูกทั้งขอ ก และขอ ค
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 8 ถึงขอ 9
8. จากภาพเปนการจัดวงจรไบอัสแบบใด
ก. คอมมอนอิมิตเตอร์ ข. คอมมอนเบส
ค. คอมมอนคอลเลกเตอร์
9. ขอใดคือสมการกระแส IE ที่ถูกตอง ง. คอมมอนเกท
ก. IE = EE BE
V V
RE V V
ข. IE = CC BE
RE
ค. IE = CC CE
V V
RE . IE = CC BE
V V
RC RE
10. โดยทั่วไปคำแรงดันที่ VBE ที่นิยมใช้มีคำเทา ไหร
ก. 0.3 V ข. 1 V
ค. 0.7 V ง. 1.4 V
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 11 ถึงขอ 13
11. ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IB
ก. 32.35 A ข. 31.32 A
ค. 3.132 A ง. 3.235 A
12. ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IC
ก. 3.75 mA ข. 3.88 mA
ค. 3.23 mA ง. 3.13 mA
13. ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VCE
ก. 22 V ข. 9.59 V
ค. 9.196 V ง. 0 V
จากภาพ จงตอบคําถามตั้งแต่ขอ 14 ถึงขอ 16
14. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VB
ก. 16.36 V ข. 5.6 V
ค. 1.63 V ง. 0.7 V
15. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IC
ก. 0.775 mA ข. 1.35 mA
ค. 1.94 mA ง. 1.27 mA
16. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VCE
ก. 17 V ข. 14.35 V
ค. 18 V ง. 13.34 V
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 17 ถึงขอ 18
17. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IE
ก. 1 mA ข. 2.4 mA
ค. 3.3 mA ง. 4 mA
18. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IC
ก. 1 mA ข. 4 mA
ค. 2.4 mA ง. 3.3 mA แบบทดสอบหลังเรียนหนวยที่ 2 คําสั่ง จงทาํ เครื่องหมายกากบาท () ลงบนขอคําตอบที่ถูกที่สุด
1. โดยทั่วไปคำแรงดันที่ VBE ที่นิยมใช้มีคำเทา ไหร
ก. 0.3 V ข. 1 V
ค. 0.7 V ง. 1.4 V
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 2 ถึงขอ 3
2. ขอใดคือสมการกระแส IB ที่ถูกตอง
ก. IB = VCC VBE
RB ข. IB = VCC
RB
ค. IB = VCC VCE
RB
3. ขอใดคือสมการแรงดนั VCE ที่ถูกตอง ง. IB = i BE
V V
R B
ก. VCE = VCC ข. VCE = VCC + VRC
ค. VCE = VCC - VRC ง. VCE = VCC + VBE
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 4 ถึงขอ 6
4. ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IB
ก. 32.35 A ข. 31.32 A
ค. 3.132 A ง. 3.235 A
5. ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IC
ก. 3.75 mA ข. 3.88 mA
ค. 3.23 mA ง. 3.13 mA
6. ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VCE
ก. 22 V ข. 9.59 V
ค. 9.196 V ง. 0 V จากภาพ จงตอบคําถามตั้งแต่ขอ 7 ถึงขอ 9
7. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IB
ก. 23.99 A ข.20.92 A
ค. 22.18 A ง. 25.47 A
8. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IC
ก. 1.67 mA ข.1.782 mA
ค. 1.55 mA ง. 1.46 mA
9. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VCE
ก. 7.18 V ข. 12 V
ค. 9.06 V ง. 0.7 V
จากภาพ จงตอบคําถามตั้งแต่ขอ 10 ถึงขอ 12
10. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VB
ก. 16.36 V ข. 5.6 V
ค. 1.63 V ง. 0.7 V
11. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IC
ก. 0.775 mA ข. 1.35 mA
ค. 1.94 mA ง. 1.27 mA
12. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VCE
ก. 17 V ข. 14.35 V
ค. 18 V ง. 13.34 V จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 13 ถึงขอ 14
13. ขอใดคือสมการกระแส IB ที่ถูกตอง
ก. IB = VCC VBE
RB
V V
ข. IB = CC BE
RB RE
ค. IB = VCC VCE RB (1β)RE
14. ขอใดคือสมการแรงดนั ที่ VCE ที่ถูกตอง ง. IB = CC BE
V V
R B (1β)R E
ก. VCE = VCC ข. VCE = VCC + VRE
ค. VCE = VCC - VRE ง. VCE = VCC + VBE
จากภาพขางลางใหตอบคําถามขอ 15 ถึงขอ 18
15. ขอใดคือสมการกระแส IE ที่ถูกตอง
ก. IE = VCC VBE ข. IE = VEEVBE
R R
E E
ค. IE = VCC VCE ง. IE = VCC VBE
RE RC RE
16. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IE
ก. 1 mA ข. 2.4 mA
ค. 3.3 mA ง. 4 mA
17. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำกระแส IC
ก. 1 mA ข. 4 mA
ค. 2.4 mA ง. 3.3 mA
18. จากภาพ ขอใดคือคําตอบของคำแรงดัน VCE
ก. 1.38 V ข. 6 V
ค. 2.78 V ง. 0.7 V